0 0 0
  8. STP10N80K5

Транзисторы с каналом N THT STP10N80K5

 
STP10N80K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 780512
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; полевой; 800В; 6А; Idm: 36А; 130Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
258.09 грн
5+
231.80 грн
6+
178.43 грн
16+
168.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 45 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
6А(1441388)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
130Вт(1701963)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
22нC(1479158)
Технология
MDmesh™ K5(1827826)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
36А(1742465)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,96 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP10N80K5
STMicroelectronics
Артикул: 780512
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; полевой; 800В; 6А; Idm: 36А; 130Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
258.09 грн
5+
231.80 грн
6+
178.43 грн
16+
168.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 45 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
130Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
22нC
Технология
MDmesh™ K5
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
36А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,96 g