0 0 0
  8. STP10N95K5

Транзисторы с каналом N THT STP10N95K5

 
STP10N95K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 080005
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; полевой; 950В; 5А; 130Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
263.78 грн
3+
238.36 грн
6+
196.25 грн
15+
185.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 9 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
950В(1628409)
Ток стока
5А(1441380)
Сопротивление в открытом состоянии
0,8Ом(1459305)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
130Вт(1701963)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMESH5™(1827829)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,957 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP10N95K5
STMicroelectronics
Артикул: 080005
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; полевой; 950В; 5А; 130Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
263.78 грн
3+
238.36 грн
6+
196.25 грн
15+
185.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 9 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
950В
Ток стока
5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
130Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMESH5™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,957 g