0 0 0
  8. STP10NK80Z

Транзисторы с каналом N THT STP10NK80Z

 
STP10NK80Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 1152269
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; 160Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
194.70 грн
3+
175.63 грн
8+
135.89 грн
21+
128.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 197 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
6А(1441388)
Сопротивление в открытом состоянии
0,9Ом(1492457)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
160Вт(1701927)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,988 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP10NK80Z
STMicroelectronics
Артикул: 1152269
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; 160Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
194.70 грн
3+
175.63 грн
8+
135.89 грн
21+
128.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 197 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
160Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,988 g