0 0 0
  8. STP11N60DM2

Транзисторы с каналом N THT STP11N60DM2

 
STP11N60DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780571
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 600В; 6,3А; Idm: 40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
128.25 грн
5+
115.50 грн
11+
92.40 грн
30+
87.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
6,3А(1479155)
Сопротивление в открытом состоянии
0,42Ом(1748259)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
16,5нC(1609963)
Технология
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP11N60DM2
STMicroelectronics
Артикул: 780571
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 600В; 6,3А; Idm: 40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
128.25 грн
5+
115.50 грн
11+
92.40 грн
30+
87.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
6,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,42Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
16,5нC
Технология
MDmesh™ DM2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g