0 0 0
  8. STP11NK40Z

Транзисторы с каналом N THT STP11NK40Z

 
STP11NK40Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 080010
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 5,67А; 110Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
78.49 грн
3+
69.76 грн
10+
62.63 грн
18+
55.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 147 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
400В(1441321)
Ток стока
5,67А(1638651)
Сопротивление в открытом состоянии
0,55Ом(1492311)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,95 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP11NK40Z
STMicroelectronics
Артикул: 080010
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 5,67А; 110Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
78.49 грн
3+
69.76 грн
10+
62.63 грн
18+
55.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 147 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
400В
Ток стока
5,67А
Сопротивление в открытом состоянии
0,55Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,95 g