0 0 0
  8. STP11NK50Z

Транзисторы с каналом N THT STP11NK50Z

 
STP11NK50Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 080012
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,3А; 125Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
105.10 грн
3+
95.05 грн
10+
86.55 грн
14+
72.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 706 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
6,3А(1479155)
Сопротивление в открытом состоянии
0,52Ом(1702963)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,96 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP11NK50Z
STMicroelectronics
Артикул: 080012
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,3А; 125Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
105.10 грн
3+
95.05 грн
10+
86.55 грн
14+
72.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 706 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
6,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,52Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,96 g