0 0 0
  8. STP11NM60FD

Транзисторы с каналом N THT STP11NM60FD

 
STP11NM60FD
 
STMicroelectronics
Артикул: 080014
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™; полевой; 600В; 7А; 160Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
174.16 грн
3+
156.58 грн
9+
122.23 грн
23+
115.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 188 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
7А(1441285)
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
160Вт(1701927)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
FDmesh™(1714016)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,975 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP11NM60FD
STMicroelectronics
Артикул: 080014
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™; полевой; 600В; 7А; 160Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
174.16 грн
3+
156.58 грн
9+
122.23 грн
23+
115.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 188 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
160Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
FDmesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,975 g