0 0 0
  8. STP120N4F6

Транзисторы с каналом N THT STP120N4F6

 
STP120N4F6
 
STMicroelectronics
Артикул: 780518
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; полевой; 40В; 80А; Idm: 320А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
150.82 грн
5+
136.53 грн
10+
110.34 грн
26+
104.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм(1479335)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
65нC(1479501)
Технология
STripFET™ H6(1823387)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
320А(1741662)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP120N4F6
STMicroelectronics
Артикул: 780518
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; полевой; 40В; 80А; Idm: 320А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
150.82 грн
5+
136.53 грн
10+
110.34 грн
26+
104.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
65нC
Технология
STripFET™ H6
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
320А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g