0 0 0
  8. STP12N50M2

Транзисторы с каналом N THT STP12N50M2

 
STP12N50M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780532
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; полевой; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
119.48 грн
5+
107.54 грн
12+
86.83 грн
25+
86.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
7А(1441285)
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
85Вт(1618986)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
15нC(1479067)
Технология
MDmesh™ M2(1827843)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP12N50M2
STMicroelectronics
Артикул: 780532
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; полевой; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
119.48 грн
5+
107.54 грн
12+
86.83 грн
25+
86.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
85Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
15нC
Технология
MDmesh™ M2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g