0 0 0
  8. STP12NM50FP

Транзисторы с каналом N THT STP12NM50FP

 
STP12NM50FP
 
STMicroelectronics
Артикул: 080022
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 550В; 7,5А; 35Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
178.40 грн
3+
164.13 грн
8+
124.49 грн
22+
117.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 186 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
550В(1492424)
Ток стока
7,5А(1441286)
Сопротивление в открытом состоянии
0,35Ом(1492258)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
35Вт(1707246)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™(1611363)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,69 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP12NM50FP
STMicroelectronics
Артикул: 080022
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 550В; 7,5А; 35Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
178.40 грн
3+
164.13 грн
8+
124.49 грн
22+
117.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 186 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
550В
Ток стока
7,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,35Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,69 g