0 0 0
  8. STP14NK50Z

Транзисторы с каналом N THT STP14NK50Z

 
STP14NK50Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 080029
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,6А; 150Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
117.14 грн
3+
105.98 грн
10+
97.21 грн
11+
92.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 125 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
7,6А(1479167)
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,938 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP14NK50Z
STMicroelectronics
Артикул: 080029
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,6А; 150Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
117.14 грн
3+
105.98 грн
10+
97.21 грн
11+
92.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 125 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
7,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
150Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,938 g