0 0 0
  8. STP15N80K5

Транзисторы с каналом N THT STP15N80K5

 
STP15N80K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 400302
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; полевой; 800В; 8,8А; Idm: 56А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
320.19 грн
3+
288.41 грн
5+
230.41 грн
12+
217.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
8,8А(1628408)
Сопротивление в открытом состоянии
0,375Ом(1638679)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
190Вт(1740822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMESH5™(1827829)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
56А(1789201)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP15N80K5
STMicroelectronics
Артикул: 400302
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; полевой; 800В; 8,8А; Idm: 56А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
320.19 грн
3+
288.41 грн
5+
230.41 грн
12+
217.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
8,8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,375Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
190Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMESH5™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
56А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g