0 0 0
  8. STP16N65M2

Транзисторы с каналом N THT STP16N65M2

 
STP16N65M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780574
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; полевой; 650В; 6,9А; Idm: 44А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
176.84 грн
5+
158.52 грн
8+
127.45 грн
22+
120.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
6,9А(1441283)
Сопротивление в открытом состоянии
0,36Ом(1638677)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
19,5нC(1712987)
Технология
MDmesh™ M2(1827843)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
44А(1789214)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP16N65M2
STMicroelectronics
Артикул: 780574
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; полевой; 650В; 6,9А; Idm: 44А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
176.84 грн
5+
158.52 грн
8+
127.45 грн
22+
120.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
6,9А
Сопротивление в открытом состоянии
0,36Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
19,5нC
Технология
MDmesh™ M2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
44А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g