0 0 0
  8. STP18N55M5

Транзисторы с каналом N THT STP18N55M5

 
STP18N55M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 080039
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 550В; 10А; 110Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
203.40 грн
3+
183.54 грн
8+
140.63 грн
20+
132.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
550В(1492424)
Ток стока
10А(1441290)
Сопротивление в открытом состоянии
192мОм(1638690)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™ V(1827832)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,938 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP18N55M5
STMicroelectronics
Артикул: 080039
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 550В; 10А; 110Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
203.40 грн
3+
183.54 грн
8+
140.63 грн
20+
132.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
550В
Ток стока
10А
Сопротивление в открытом состоянии
192мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™ V
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,938 g