0 0 0
  8. STP18N60DM2

Транзисторы с каналом N THT STP18N60DM2

 
STP18N60DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780477
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 600В; 7,6А; Idm: 48А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
189.58 грн
5+
170.46 грн
8+
136.21 грн
21+
129.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
7,6А(1479167)
Сопротивление в открытом состоянии
0,295Ом(1738133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
20нC(1479267)
Технология
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
48А(1741686)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP18N60DM2
STMicroelectronics
Артикул: 780477
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 600В; 7,6А; Idm: 48А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
189.58 грн
5+
170.46 грн
8+
136.21 грн
21+
129.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
7,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,295Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
20нC
Технология
MDmesh™ DM2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
48А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g