0 0 0
  8. STP18N60M2

Транзисторы с каналом N THT STP18N60M2

 
STP18N60M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 400303
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; полевой; 650В; 8А; Idm: 52А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
148.96 грн
3+
133.82 грн
10+
102.76 грн
27+
97.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 31 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
8А(1441287)
Сопротивление в открытом состоянии
0,28Ом(1492340)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™ || Plus(1827828)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
52А(1789218)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,95 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP18N60M2
STMicroelectronics
Артикул: 400303
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; полевой; 650В; 8А; Idm: 52А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
148.96 грн
3+
133.82 грн
10+
102.76 грн
27+
97.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 31 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,28Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™ || Plus
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
52А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,95 g