Транзисторы с каналом N THT STP19NM50N

 
STP19NM50N
 
Артикул: 357258
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; полевой; 500В; 10А; 110Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
115.10 грн
3+
103.99 грн
10+
92.08 грн
13+
79.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 362 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
10А(1441290)
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом(1492329)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технология
MDmesh™ ||(1827830)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,943 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP19NM50N
STMicroelectronics
Артикул: 357258
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; полевой; 500В; 10А; 110Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
115.10 грн
3+
103.99 грн
10+
92.08 грн
13+
79.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 362 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
10А
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Технология
MDmesh™ ||
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,943 g