0 0 0
  8. STP20N65M5

Транзисторы с каналом N THT STP20N65M5

 
STP20N65M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 080042
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 11,3А; 130Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
240.52 грн
3+
216.71 грн
7+
165.90 грн
17+
157.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 51 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
11,3А(1599918)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
130Вт(1701963)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™ V(1827832)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,95 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP20N65M5
STMicroelectronics
Артикул: 080042
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 11,3А; 130Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
240.52 грн
3+
216.71 грн
7+
165.90 грн
17+
157.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 51 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
11,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
130Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™ V
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,95 g