0 0 0
  8. STP20N95K5

Транзисторы с каналом N THT STP20N95K5

 
STP20N95K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 400304
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; полевой; 950В; 11А; Idm: 70А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
519.94 грн
3+
363.56 грн
8+
343.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 94 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
950В(1628409)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
0,33Ом(1645025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMESH5™(1827829)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
70А(1759384)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,04 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP20N95K5
STMicroelectronics
Артикул: 400304
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; полевой; 950В; 11А; Idm: 70А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
519.94 грн
3+
363.56 грн
8+
343.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 94 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
950В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
0,33Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMESH5™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,04 g