0 0 0
  8. STP22NM60N

Транзисторы с каналом N THT STP22NM60N

 
STP22NM60N
 
STMicroelectronics
Артикул: 780478
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; полевой; 600В; 16А; Idm: 64А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
173.65 грн
5+
155.33 грн
8+
125.06 грн
22+
117.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
0,22Ом(1702962)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
44нC(1479001)
Технология
MDmesh™ ||(1827830)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
64А(1789210)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP22NM60N
STMicroelectronics
Артикул: 780478
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; полевой; 600В; 16А; Idm: 64А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
173.65 грн
5+
155.33 грн
8+
125.06 грн
22+
117.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
0,22Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
44нC
Технология
MDmesh™ ||
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
64А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g