0 0 0
  8. STP23NM50N

Транзисторы с каналом N THT STP23NM50N

 
STP23NM50N
 
STMicroelectronics
Артикул: 400305
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; полевой; 500В; 11А; Idm: 68А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
185.34 грн
3+
166.17 грн
8+
127.82 грн
22+
121.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технология
MDmesh™ ||(1827830)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
68А(1785979)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP23NM50N
STMicroelectronics
Артикул: 400305
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; полевой; 500В; 11А; Idm: 68А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
185.34 грн
3+
166.17 грн
8+
127.82 грн
22+
121.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Технология
MDmesh™ ||
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
68А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g