0 0 0
  8. STP24N60M2

Транзисторы с каналом N THT STP24N60M2

 
STP24N60M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 080050
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; полевой; 600В; 12А; 150Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
213.55 грн
3+
192.04 грн
7+
148.21 грн
19+
140.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 33 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™ || Plus(1827828)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,96 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP24N60M2
STMicroelectronics
Артикул: 080050
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; полевой; 600В; 12А; 150Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
213.55 грн
3+
192.04 грн
7+
148.21 грн
19+
140.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 33 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
150Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™ || Plus
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,96 g