0 0 0
  8. STP24NM60N

Транзисторы с каналом N THT STP24NM60N

 
STP24NM60N
 
STMicroelectronics
Артикул: 436911
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; полевой; 650В; 11А; Idm: 68А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
228.87 грн
9+
116.82 грн
24+
110.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 72 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
44нC(1479001)
Технология
MDmesh™ ||(1827830)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
68А(1785979)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,95 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP24NM60N
STMicroelectronics
Артикул: 436911
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; полевой; 650В; 11А; Idm: 68А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
228.87 грн
9+
116.82 грн
24+
110.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 72 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
44нC
Технология
MDmesh™ ||
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
68А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,95 g