0 0 0
  8. STP25N60M2-EP

Транзисторы с каналом N THT STP25N60M2-EP

 
STP25N60M2-EP
 
STMicroelectronics
Артикул: 780576
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; полевой; 600В; 11,3А; Idm: 72А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
223.83 грн
5+
202.33 грн
7+
161.70 грн
17+
152.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
11,3А(1599918)
Сопротивление в открытом состоянии
188мОм(1805247)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
29нC(1479212)
Технология
MDmesh™ M2(1827843)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
72А(1789194)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP25N60M2-EP
STMicroelectronics
Артикул: 780576
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; полевой; 600В; 11,3А; Idm: 72А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
223.83 грн
5+
202.33 грн
7+
161.70 грн
17+
152.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
11,3А
Сопротивление в открытом состоянии
188мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
150Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
29нC
Технология
MDmesh™ M2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
72А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g