0 0 0
  8. STP26N60DM6

Транзисторы с каналом N THT STP26N60DM6

 
STP26N60DM6
 
STMicroelectronics
Артикул: 436912
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; полевой; 600В; 11А; Idm: 60А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
278.94 грн
7+
154.97 грн
18+
146.23 грн
2000+
139.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
0,195Ом(1632938)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
130Вт(1701963)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
24нC(1479143)
Технология
MDmesh™ DM6(1827836)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,96 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP26N60DM6
STMicroelectronics
Артикул: 436912
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; полевой; 600В; 11А; Idm: 60А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
278.94 грн
7+
154.97 грн
18+
146.23 грн
2000+
139.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
0,195Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
130Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
24нC
Технология
MDmesh™ DM6
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,96 g