0 0 0
  8. STP26N65DM2

Транзисторы с каналом N THT STP26N65DM2

 
STP26N65DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780599
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 650В; 12,6А; Idm: 53А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
303.49 грн
5+
217.46 грн
13+
205.51 грн
500+
202.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
12,6А(1628412)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
170Вт(1740761)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
35,5нC(1775137)
Технология
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
53А(1810500)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP26N65DM2
STMicroelectronics
Артикул: 780599
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 650В; 12,6А; Idm: 53А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
303.49 грн
5+
217.46 грн
13+
205.51 грн
500+
202.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
12,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
170Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
35,5нC
Технология
MDmesh™ DM2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
53А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g