0 0 0
  8. STP28N60M2

Транзисторы с каналом N THT STP28N60M2

 
STP28N60M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 080053
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; полевой; 650В; 14А; 170Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
262.19 грн
3+
235.97 грн
6+
190.69 грн
15+
180.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 55 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
14А(1441298)
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
170Вт(1740761)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™ || Plus(1827828)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,99 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP28N60M2
STMicroelectronics
Артикул: 080053
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; полевой; 650В; 14А; 170Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
262.19 грн
3+
235.97 грн
6+
190.69 грн
15+
180.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 55 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
14А
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
170Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™ || Plus
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,99 g