0 0 0
  8. STP2N105K5

Транзисторы с каналом N THT STP2N105K5

 
STP2N105K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 780500
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; полевой; 1,05кВ; 950мА; Idm: 6А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
146.57 грн
5+
132.23 грн
10+
105.15 грн
27+
99.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
1,05кВ(1638832)
Ток стока
0,95А(1638663)
Сопротивление в открытом состоянии
8Ом(1441548)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
60Вт(1701959)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Технология
MDmesh™ K5(1827826)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
6А(1790199)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP2N105K5
STMicroelectronics
Артикул: 780500
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; полевой; 1,05кВ; 950мА; Idm: 6А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
146.57 грн
5+
132.23 грн
10+
105.15 грн
27+
99.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
1,05кВ
Ток стока
0,95А
Сопротивление в открытом состоянии
8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
60Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
10нC
Технология
MDmesh™ K5
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g