0 0 0
  8. STP315N10F7

Транзисторы с каналом N THT STP315N10F7

 
STP315N10F7
 
STMicroelectronics
Артикул: 780680
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; полевой; 100В; 120А; Idm: 720А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
441.69 грн
4+
316.15 грн
9+
298.33 грн
500+
294.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
2,7мОм(1479288)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
315Вт(1742090)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
180нC(1479420)
Технология
STripFET™ F7(1786522)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
720А(1758570)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP315N10F7
STMicroelectronics
Артикул: 780680
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; полевой; 100В; 120А; Idm: 720А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
441.69 грн
4+
316.15 грн
9+
298.33 грн
500+
294.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
2,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
315Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
180нC
Технология
STripFET™ F7
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
720А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g