0 0 0
  8. STP33N60M2

Транзисторы с каналом N THT STP33N60M2

 
STP33N60M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780549
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; полевой; 600В; 16А; Idm: 104А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
379.96 грн
4+
273.22 грн
11+
258.09 грн
500+
253.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
190Вт(1740822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
45,5нC(1960007)
Технология
MDmesh™ M2(1827843)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
104А(1759380)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP33N60M2
STMicroelectronics
Артикул: 780549
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; полевой; 600В; 16А; Idm: 104А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
379.96 грн
4+
273.22 грн
11+
258.09 грн
500+
253.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
190Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
45,5нC
Технология
MDmesh™ M2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
104А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g