0 0 0
  8. STP34N65M5

Транзисторы с каналом N THT STP34N65M5

 
STP34N65M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 780598
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; полевой; 650В; 17,7А; Idm: 112А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
502.63 грн
3+
361.64 грн
8+
342.52 грн
500+
335.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
17,7А(1593804)
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
190Вт(1740822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
62,5нC(1906013)
Технология
MDmesh™ M5(1862345)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
112А(1812410)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP34N65M5
STMicroelectronics
Артикул: 780598
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; полевой; 650В; 17,7А; Idm: 112А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
502.63 грн
3+
361.64 грн
8+
342.52 грн
500+
335.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
17,7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
190Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
62,5нC
Технология
MDmesh™ M5
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
112А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g