0 0 0
  8. STP34NM60ND

Транзисторы с каналом N THT STP34NM60ND

 
STP34NM60ND
 
STMicroelectronics
Артикул: 780666
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; полевой; 600В; 18А; Idm: 116А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
407.59 грн
4+
295.56 грн
10+
279.67 грн
500+
271.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
18А(1479247)
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
190Вт(1740822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
80,4нC(1960008)
Технология
MDmesh™ M5(1862345)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
116А(1799528)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP34NM60ND
STMicroelectronics
Артикул: 780666
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; полевой; 600В; 18А; Idm: 116А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
407.59 грн
4+
295.56 грн
10+
279.67 грн
500+
271.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
18А
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
190Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
80,4нC
Технология
MDmesh™ M5
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
116А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g