0 0 0
  8. STP35N60DM2

Транзисторы с каналом N THT STP35N60DM2

 
STP35N60DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 080060
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 600В; 17А; 210Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
324.24 грн
3+
290.86 грн
5+
236.03 грн
12+
222.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
17А(1441577)
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
210Вт(1740833)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,023 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP35N60DM2
STMicroelectronics
Артикул: 080060
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 600В; 17А; 210Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
324.24 грн
3+
290.86 грн
5+
236.03 грн
12+
222.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
17А
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
210Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™ DM2
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,023 g