0 0 0
  8. STP35N60M2-EP

Транзисторы с каналом N THT STP35N60M2-EP

 
STP35N60M2-EP
 
STMicroelectronics
Артикул: 780585
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; полевой; 600В; 16А; Idm: 70А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
390.11 грн
4+
329.73 грн
9+
311.45 грн
25+
309.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
190Вт(1740822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
41нC(1479238)
Технология
MDmesh™ M2(1827843)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
70А(1759384)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP35N60M2-EP
STMicroelectronics
Артикул: 780585
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; полевой; 600В; 16А; Idm: 70А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
390.11 грн
4+
329.73 грн
9+
311.45 грн
25+
309.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
190Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
41нC
Технология
MDmesh™ M2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g