0 0 0
  8. STP35N65DM2

Транзисторы с каналом N THT STP35N65DM2

 
STP35N65DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780460
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 650В; 20А; Idm: 90А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
510.20 грн
3+
367.95 грн
8+
348.08 грн
500+
340.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
20А(1441300)
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
56,3нC(1825893)
Технология
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
90А(1797079)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP35N65DM2
STMicroelectronics
Артикул: 780460
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 650В; 20А; Idm: 90А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
510.20 грн
3+
367.95 грн
8+
348.08 грн
500+
340.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
20А
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
56,3нC
Технология
MDmesh™ DM2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
90А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g