0 0 0
  8. STP36N60M6

Транзисторы с каналом N THT STP36N60M6

 
STP36N60M6
 
STMicroelectronics
Артикул: 436915
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; полевой; 600В; 19А; Idm: 102А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
403.71 грн
3+
363.18 грн
4+
279.73 грн
10+
264.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
19А(1479258)
Сопротивление в открытом состоянии
99мОм(1599114)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
208Вт(1741773)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
44,3нC(1825894)
Технология
MDmesh™ M6(1827833)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
102А(1823198)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,033 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP36N60M6
STMicroelectronics
Артикул: 436915
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; полевой; 600В; 19А; Idm: 102А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
403.71 грн
3+
363.18 грн
4+
279.73 грн
10+
264.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
19А
Сопротивление в открытом состоянии
99мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
208Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
44,3нC
Технология
MDmesh™ M6
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
102А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,033 g