0 0 0
  8. STP45N60DM2AG

Транзисторы с каналом N THT STP45N60DM2AG

 
STP45N60DM2AG
 
STMicroelectronics
Артикул: 780662
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 600В; 21А; Idm: 136А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
526.89 грн
3+
365.56 грн
8+
345.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 35 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
21А(1441374)
Сопротивление в открытом состоянии
93мОм(1643349)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
56нC(1479440)
Технология
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
136А(1790443)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,044 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP45N60DM2AG
STMicroelectronics
Артикул: 780662
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 600В; 21А; Idm: 136А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
526.89 грн
3+
365.56 грн
8+
345.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 35 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
21А
Сопротивление в открытом состоянии
93мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
56нC
Технология
MDmesh™ DM2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
136А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,044 g