0 0 0
  8. STP45N65M5

Транзисторы с каналом N THT STP45N65M5

 
STP45N65M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 080074
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 22А; 210Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
573.45 грн
3+
450.57 грн
7+
425.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 79 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
22А(1441302)
Сопротивление в открытом состоянии
78мОм(1479284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
210Вт(1740833)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™ V(1827832)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,983 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP45N65M5
STMicroelectronics
Артикул: 080074
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 22А; 210Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
573.45 грн
3+
450.57 грн
7+
425.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 79 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
22А
Сопротивление в открытом состоянии
78мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
210Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™ V
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,983 g