0 0 0
  8. STP50N65DM6

Транзисторы с каналом N THT STP50N65DM6

 
STP50N65DM6
 
STMicroelectronics
Артикул: 606162
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 33А; Idm: 120А; 250Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
611.76 грн
3+
465.19 грн
6+
440.50 грн
100+
436.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
33А(1479307)
Сопротивление в открытом состоянии
91мОм(1801463)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
52,5нC(1913300)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
120А(1741681)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP50N65DM6
STMicroelectronics
Артикул: 606162
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 33А; Idm: 120А; 250Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
611.76 грн
3+
465.19 грн
6+
440.50 грн
100+
436.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
33А
Сопротивление в открытом состоянии
91мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
52,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
120А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g