0 0 0
  8. STP55NF06FP

Транзисторы с каналом N THT STP55NF06FP

 
STP55NF06FP
 
STMicroelectronics
Артикул: 080083
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 60В; 35А; 30Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
76.68 грн
3+
57.35 грн
10+
45.77 грн
26+
39.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 839 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
35А(1441492)
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм(1441559)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
30Вт(1507542)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
STripFET™ F7(1714015)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,687 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP55NF06FP
STMicroelectronics
Артикул: 080083
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 60В; 35А; 30Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
76.68 грн
3+
57.35 грн
10+
45.77 грн
26+
39.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 839 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
35А
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
30Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
STripFET™ F7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,687 g