0 0 0
  8. STP6N62K3

Транзисторы с каналом N THT STP6N62K3

 
STP6N62K3
 
STMicroelectronics
Артикул: 080096
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH3™; полевой; 620В; 3А; 30Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.13 грн
3+
61.12 грн
10+
53.94 грн
22+
46.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
620В(1609987)
Ток стока
3А(1441397)
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
30Вт(1507542)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMESH3™(1827838)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,953 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP6N62K3
STMicroelectronics
Артикул: 080096
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH3™; полевой; 620В; 3А; 30Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.13 грн
3+
61.12 грн
10+
53.94 грн
22+
46.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
620В
Ток стока
3А
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
30Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMESH3™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,953 g