0 0 0
  8. STP6NK90ZFP

Транзисторы с каналом N THT STP6NK90ZFP

 
STP6NK90ZFP
 
STMicroelectronics
Артикул: 080101
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,65А; 30Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
133.70 грн
3+
119.79 грн
10+
108.20 грн
12+
86.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 870 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
900В(1441403)
Ток стока
3,65А(1638694)
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
30Вт(1507542)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,68 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP6NK90ZFP
STMicroelectronics
Артикул: 080101
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,65А; 30Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
133.70 грн
3+
119.79 грн
10+
108.20 грн
12+
86.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 870 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
900В
Ток стока
3,65А
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
30Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,68 g