0 0 0
  8. STP7N80K5

Транзисторы с каналом N THT STP7N80K5

 
STP7N80K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 952380
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; полевой; 800В; 6А; 110Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
161.73 грн
3+
146.60 грн
9+
109.15 грн
25+
103.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 55 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
6А(1441388)
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMESH5™(1827829)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,984 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP7N80K5
STMicroelectronics
Артикул: 952380
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; полевой; 800В; 6А; 110Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
161.73 грн
3+
146.60 грн
9+
109.15 грн
25+
103.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 55 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
6А
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMESH5™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,984 g