0 0 0
  8. STP7N95K3

Транзисторы с каналом N THT STP7N95K3

 
STP7N95K3
 
STMicroelectronics
Артикул: 080106
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH3™; полевой; 950В; 4,5А; 150Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
170.16 грн
3+
151.79 грн
9+
117.44 грн
24+
111.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 105 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
950В(1628409)
Ток стока
4,5А(1441265)
Сопротивление в открытом состоянии
1,35Ом(1638833)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMESH3™(1827838)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,977 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP7N95K3
STMicroelectronics
Артикул: 080106
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH3™; полевой; 950В; 4,5А; 150Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
170.16 грн
3+
151.79 грн
9+
117.44 грн
24+
111.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 105 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
950В
Ток стока
4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
1,35Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
150Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMESH3™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,977 g