0 0 0
  8. STP7NK80Z

Транзисторы с каналом N THT STP7NK80Z

 
STP7NK80Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 080109
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,3А; 125Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
103.55 грн
3+
92.40 грн
10+
82.05 грн
14+
74.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 246 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
3,3А(1492298)
Сопротивление в открытом состоянии
1,8Ом(1441406)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,958 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP7NK80Z
STMicroelectronics
Артикул: 080109
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,3А; 125Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
103.55 грн
3+
92.40 грн
10+
82.05 грн
14+
74.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 246 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
3,3А
Сопротивление в открытом состоянии
1,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,958 g