0 0 0
  8. STP7NK80ZFP

Транзисторы с каналом N THT STP7NK80ZFP

 
STP7NK80ZFP
 
STMicroelectronics
Артикул: 080110
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,3А; 30Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
143.62 грн
3+
129.57 грн
10+
103.04 грн
27+
97.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 167 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
3,3А(1492298)
Сопротивление в открытом состоянии
1,8Ом(1441406)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
30Вт(1507542)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,68 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
Артикул: 080110
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,3А; 30Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
143.62 грн
3+
129.57 грн
10+
103.04 грн
27+
97.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 167 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
3,3А
Сопротивление в открытом состоянии
1,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
30Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,68 g