0 0 0
  8. STP80NF10FP

Транзисторы с каналом N THT STP80NF10FP

 
STP80NF10FP
 
STMicroelectronics
Артикул: 080115
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 100В; 27А; 45Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
227.56 грн
9+
118.14 грн
23+
111.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 223 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
27А(1441591)
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм(1479025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
45Вт(1607948)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
STripFET™ F7(1714015)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,747 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP80NF10FP
STMicroelectronics
Артикул: 080115
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 100В; 27А; 45Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
227.56 грн
9+
118.14 грн
23+
111.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 223 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
27А
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
45Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
STripFET™ F7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,747 g