0 0 0
  8. STP8NK100Z

Транзисторы с каналом N THT STP8NK100Z

 
STP8NK100Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 080120
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 4,3А; 160Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
168.22 грн
3+
151.17 грн
9+
115.51 грн
23+
109.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
4,3А(1441593)
Сопротивление в открытом состоянии
1,85Ом(1638684)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
160Вт(1701927)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,957 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP8NK100Z
STMicroelectronics
Артикул: 080120
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 4,3А; 160Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
168.22 грн
3+
151.17 грн
9+
115.51 грн
23+
109.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
4,3А
Сопротивление в открытом состоянии
1,85Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
160Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,957 g