0 0 0
  8. STP9NK50ZFP

Транзисторы с каналом N THT STP9NK50ZFP

 
STP9NK50ZFP
 
STMicroelectronics
Артикул: 080125
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
81.18 грн
3+
61.90 грн
10+
54.72 грн
20+
51.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 72 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
7,2А(1441574)
Сопротивление в открытом состоянии
0,85Ом(1459319)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
30Вт(1507542)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,725 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP9NK50ZFP
STMicroelectronics
Артикул: 080125
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
81.18 грн
3+
61.90 грн
10+
54.72 грн
20+
51.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 72 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
7,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,85Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
30Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,725 g