0 0 0
  8. STR2P3LLH6

Транзисторы с каналом P SMD STR2P3LLH6

 
STR2P3LLH6
 
STMicroelectronics
Артикул: 510581
Транзистор: P-MOSFET; STripFET™; полевой; -30В; -1,2А; Idm: -8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
36.51 грн
50+
26.35 грн
61+
16.54 грн
168+
15.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2992 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-1,2А(1610032)
Сопротивление в открытом состоянии
90мОм(1479066)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,35Вт(1701891)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6нC(1479087)
Технология
STripFET™(1827831)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-8А(1741671)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g
 
Транзисторы с каналом P SMD STR2P3LLH6
STMicroelectronics
Артикул: 510581
Транзистор: P-MOSFET; STripFET™; полевой; -30В; -1,2А; Idm: -8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
36.51 грн
50+
26.35 грн
61+
16.54 грн
168+
15.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2992 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-1,2А
Сопротивление в открытом состоянии
90мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6нC
Технология
STripFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g